100% рабочая оригинальная оперативная память для ноутбуков, б/у
Samsung 1GB DDR2-667 PC2-5300
M470T2953EZ3-CE6 10р.

Kingston 1GB DDR3 PC3-10600
ACR128X64D3S1333C9 10р.

ADATA 2GB DDR3 2RX8 PC3-10600S-999
AD73I1B1672EG 20р.

Hynix 2GB DDR3 SODIMM 1600МГц
HMT425S6AFR6A-PB 20р.

Samsung 1Gb DDR2-667 PC2-5300
M470T2953EZ3-CE6
Тип памяти DDR2
Тактовая частота667 МГц
Пропускная способность5300 Мб/с
Объем 1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.8 В
Количество ранков2

Kingston 1GB DDR3 PC3-10600
ACR128X64D3S1333C9
Набор 1 модуль
Общий объем 1 ГБ
Тип DDR3 SO-DIMM
Частота 1333 МГц
PC-индекс PC3-10600
CAS Latency 9T
Напряжение
питания 1.5 В
Расположение
чипов двустороннее
Количество
ранков 1

ADATA 2GB 2RX8 PC3-10600S-999
AD73I1B1672EG
Производитель оперативной памяти:
ADATA
Модель оперативной памяти:
AD73I1B1672EG
Обьем памяти:
2GB
Тип памяти:
DDR3
Форм-фактор:
SODIMM
Эффективная частота МГц:
1333
Пропускная способность Мб/с:
10600
Тайминги CL - tRCD - tRP:
9-9-9
Напряжение питания:
1.5V

Hynix 2ГБ DDR3 SODIMM 1600МГц
HMT425S6AFR6A-PB
Набор 1 модуль
Общий объем 2 ГБ
Тип DDR3 SO-DIMM
ECC НЕТ
Частота 1600 МГц
PC-индекс PC3-12800
CAS Latency 11T
Тайминги 11-11-11
Напряжение питания 1.35 В

Высылка почтой возможна, за счет получателя (наложенный платеж).