Объём 1 ТБ
Форм-фактор 2.5"
Интерфейс SATA 3.0
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Samsung MKX
Ресурс записи 600 TBW
DRAM-буфер Объем DRAM-буфера 1024 МБ
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 560 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 530 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 98 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 88 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 2.5 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.03 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч