512 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4
Версия NVMe
1.3
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Размеры устройств M.2
2280
Ресурс записи
240 TBW
Технические характеристики
Скорость последовательного чтения
1 700 Мбайт/с
Скорость последовательной записи
1 100 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения
290 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
260 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)
2.07 Вт
Энергопотребление (ожидание)
0.37 Вт