Новый, запечатанный. Скоростной.

Общая информация
Дата выхода на рынок 2025 г.
Основные
Объём 500 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Версия NVMe 2.0
Тип микросхем Flash 3D QLC NAND
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 160 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения 5 000 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 3 000 Мбайт/с
Время наработки на отказ (МТBF) 2 000 000 ч
Толщина 3.13 мм