Объём: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 4.0 x4
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Контроллер: Samsung Elpis
Размеры устройств M.2: 2280
Технические характеристики
Объем DRAM-буфера: 1024 МБ
Аппаратное шифрование: AES 256bit
Скорость последовательного чтения: 7 000 Мбайт/с
Скорость последовательной записи: 5 200 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения: 1 000 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 850 000 IOps