Объём
1 ТБ
Форм-фактор
2.5"
Интерфейс
SATA 3.0
Тип микросхем Flash
3D QLC NAND
Контроллер
Samsung MKX
Ресурс записи
360 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера
1024 МБ
Аппаратное шифрование
AES 256bit
Скорость последовательного чтения
560 Мбайт/с
Скорость последовательной записи
530 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения
98 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
88 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)
2.2 Вт
Энергопотребление (ожидание)
0.003 Вт
Время наработки на отказ (МТBF)
1 500 000 ч