Основные
Объём 2 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Phison PS5018-E18
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 2000 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения 7 300 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 7 000 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 1 000 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 1 000 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 9.9 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.005 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 800 000 ч
Толщина 3.5 мм
Охлаждение
Тип охлаждения пластина