Технические характеристики Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Скорость последовательного чтения 2 200 МБ/с Скорость последовательной записи 1 400 МБ/с Средняя скорость случайной записи 190 000 IOps Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч Энергопотребление (ожидание) 0.005 Вт Средняя скорость случайного чтения 330 000 IOps Толщина 2.23 мм Энергопотребление (чтение/запись) 3.5 Вт