Технические характеристики Объём 1 ТБ Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI Express 3.0 x4 Версия NVMe 1.4 Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Контроллер Samsung Pablo Размеры устройств M.2 2280 Ресурс записи 600 TBW Аппаратное шифрование AES 256bit Скорость последовательного чтения 3 500 Мбайт/с Скорость последовательной записи 3 000 Мбайт/с Средняя скорость случайного чтения 500 000 IOps Средняя скорость случайной записи 480 000 IOps Энергопотребление (чтение/запись) 5.3 Вт Энергопотребление (ожидание) 0.045 Вт Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч Толщина 2.38 мм