Платформа: Intel, AMD Бренд: Samsung Фактор формы: UDIMM Тип памяти: DDR5 SDRAM. Объем: 16 ГБ (один модуль). Модель: Samsung 16GB DDR5 5600MHz Скорость шины: PC5-44800 (DDR5-5600) Тактовая частота: 5600 МГц (эффективная). Пропускная способность: PC5-44800 (5600 МТ/с). Тайминги (CAS Latency): CL46 (стандартный профиль 46-45-45). Рабочее напряжение: 1.1 В. Архитектура (Rank): 1Rx8 (одноранговая, 8 банков). Поддержка ECC: Non-ECC (без коррекции ошибок), хотя стандарт DDR5 включает встроенную технологию On-Die ECC для стабильности чипов.
Парт-номера: M425R2GA3BB0-CWM (для ноутбуков/SO-DIMM) и M323R2GA3DB0-CWM (для настольных ПК/UDIMM). - Композиция компонентов: 8 чипов по 2 ГБ каждый (2G x 8). - Количество банков: 32 банка (8 групп по 4 банка), что вдвое больше, чем у DDR4. - Длина пакета (Burst Length): BL16 (у DDR4 была BL8), что повышает эффективность доступа к данным.
Временные характеристики (Тайминги) Модуль работает по стандарту JEDEC DDR5-5600B. - CAS Latency (tAA): 46 тактов. - Схема таймингов: 46-45-45. - Минимальное время цикла (tCK): 0.357 нс. - tREFI (интервал регенерации): 3.9 мкс при температуре до 85°C и 1.95 мкс при 85–95°C.
Питание и управление (PMIC) В отличие от DDR4, управление питанием теперь находится на самом модуле (технология PMIC). - Напряжение VDD/VDDQ: 1.1 В. - Напряжение VPP (активация): 1.8 В. - Интегрированный хаб SPD: Включает EEPROM и термодатчик для мониторинга температуры модуля в реальном времени.
Физические параметры - Интерфейс: 262 контакта для SO-DIMM и 288 контактов для UDIMM. - Высота модуля: Стандартная (STD), примерно 31.25 мм. - Технология On-Die ECC: Встроена в каждый чип для исправления битовых ошибок внутри кристалла, что критично для стабильности на частотах 5600 МГц и выше.
Совместимость Согласно данным Samsung и Microgamers, модуль оптимизирован для: - Процессоров: Intel Core 12-го, 13-го и 14-го поколений; AMD Ryzen серий 7000/8000/9000. - Чипсетов: Intel Z690, B660, Z790, B760; AMD X670, B650.
Писать только реально заинтересованным. Б/У. В наличии сколько-то шт.