Пользовался бережно. Заполненность не была боль 40% никогда.
Любые проверки.
Объём 500 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 3.0 x4
Версия NVMe 1.3
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND (64-слойная 256-Гбит)
Контроллер Samsung Phoenix
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 300 TBW
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера 512 МБ
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 3 400 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 2 300 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 370 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 450 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 5.8 Вт (запись, чтение - 5,7 Вт)
Энергопотребление (ожидание) 0.03 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч