Две планки самсунг 4GB. DDR4, в работе не были сняты сразу у купленных новых ноутов.

Характеристики

Набор 1 модуль
Общий объем 4 ГБ
Тип DDR4 SO-DIMM
Частота 3200 МГц
PC-индекс PC4-25600
CAS Latency 19T
Напряжение питания 1.2 В
Технические характеристики
Расположение чипов двустороннее
Количество ранков 1
Число микросхем 16
Тип микросхем 512Mx16
Цвет зеленый