Объём 256 ГБ
Форм-фактор 2.5"
Интерфейс SATA 3.0
Тип микросхем Flash 3D MLC NAND
Контроллер Samsung MJX
Ресурс записи 300 TBW
DRAM-буфер Объем DRAM-буфера 512 МБ
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 560 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 530 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 100 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 90 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 2 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.002 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 2 000 000 ч