Характеристики Общая информация Дата выхода на рынок 2020 г. Основные Объём 1 ТБ Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI Express 4.0 x4 Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Контроллер Samsung Elpis Размеры устройств M.2 2280 Ресурс записи 600 TBW Технические характеристики DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера 1024 МБ Аппаратное шифрование AES 256bit Скорость последовательного чтения 7 000 Мбайт/с Скорость последовательной записи 5 000 Мбайт/с Средняя скорость случайного чтения 1 000 000 IOps Средняя скорость случайной записи 1 000 000 IOps Энергопотребление (чтение/запись) 6.2 Вт (режим Burst 8.9 Вт) Энергопотребление (ожидание) 0.035 Вт Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч Толщина 2.38 мм Охлаждение