Тип памяти: DDR4
Тайминги
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 16
Row Precharge Delay (tRP): 16
Activate to Precharge Delay (tRAS): 36
Общие характеристики
Общий объём памяти, Гб: 16
Количество модулей: 2
Тактовая частота: 2400 МГц
Форм-фактор: DIMM
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): есть
Дополнительно
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: есть