По работе без проблем, любые проверки
Надёжность и качество samsung, MLC память - сейчас таких не производят для потребительского рынка
DRAM кэш память
Топовое решение

При необходимомти могу установить чистую винду

Объём 512 ГБ
Форм-фактор 2.5"
Интерфейс SATA 3.0
Тип микросхем Flash MLC
Контроллер Samsung S4LN045X01-8030 (Samsung MEX)
Технические характеристики
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 550 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 520 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 100 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 90 000 IOps
Время наработки на отказ (МТBF) 2 000 000 ч
Толщина 6.8 мм

ССД, Самсунг