Характеристики

Объём одного модуля — 4 ГБ.
Частота — 1600 МГц.
Пропускная способность — 12800 Мб/с.
Расположение чипов — двустороннее.
Количество чипов — 8.
Количество контактов — 204.
Напряжение питания — 1,35 В.
Тайминги: CAS Latency (CL) — 11, RAS to CAS Delay (tRCD) — 11.
Латентность — CL11.
П
Особенности:

Низковольтовая память (1,35 В, в отличие от 1,5 В в DDR3), что обеспечивает совместимость с последними материнскими платами под DDR3.
Не нуждается в системе охлаждения.