Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A5244CB0-CWE Набор 1 модуль Общий объем 4 ГБ Тип DDR4 SO-DIMM Частота 3200 МГц PC-индекс PC4-25600 CAS Latency 19T Напряжение питания 1.2 В Расположение чипов двустороннее Количество ранков 1 Число микросхем 16 Тип микросхем 512Mx16