Состояние НОВОГО. Включал вместе с новым компом как второй винт, решил сразу заменить на М2. Состояние на скрине.
Интерфейс SATA 3.0 Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Контроллер Samsung MKX Ресурс записи 300 TBW Технические характеристики DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера 512 МБ Аппаратное шифрование AES 256bit Скорость последовательного чтения 560 Мбайт/с Скорость последовательной записи 530 Мбайт/с Средняя скорость случайного чтения 98 000 IOps Средняя скорость случайной записи 88 000 IOps Энергопотребление (чтение/запись) 2.2 Вт Энергопотребление (ожидание) 0.03 Вт Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч Толщина 6.8 мм