Основные

Объём: 250 ГБ
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Контроллер: Samsung Phoenix
Технические характеристики

Буфер: 512 МБ (Low Power DDR4)
Аппаратное шифрование: AES 256bit
Скорость последовательного чтения: 3 500 МБ/с
Скорость последовательной записи: 2 300 МБ/с
Средняя скорость случайного чтения: 250 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 550 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 5 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.03 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч
Размеры устройств M.2: 2280
Толщина: 2.38 мм