Основные
Объём: 500 ГБ
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SATA 3.0
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Контроллер: Samsung MKX
Ресурс записи: 300 TBW

Технические характеристики
DRAM-буфер: да
Объем DRAM-буфера: 512 МБ
Аппаратное шифрование: AES 256bit
Скорость последовательного чтения: 560 Мбайт/с
Скорость последовательной записи: 530 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 2.2 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.03 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч
Толщина: 6.8 мм